Wyślij wiadomość
rongxing international trade co.,limited
produkty
produkty
Dom > produkty > Układy scalone wzmacniacza > NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT

NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT

Szczegóły Produktu

Nazwa handlowa: ON Semiconductor

Orzecznictwo: ROHS

Numer modelu: NCS20074DTBR2G

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1 szt

Cena: Negotiated

Szczegóły pakowania: Taca/RELKA

Czas dostawy: 3-15 dni

Magazyn: 8000

Zasady płatności: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Możliwość Supply: 1000szt

Uzyskaj najlepszą cenę
Atrakcja:

Podwójny sterownik MOSFET 1

,

2 MHz

,

podwójny sterownik MOSFET IGBT

Numer produktu producenta:
NCS20074DTBR2G
Liczba kanałów:
2
Zakres napięcia wejściowego:
±15 V
Zakres napięcia zasilania:
4,5 V do 18 V
Szybkość narastania:
0,3 V/μs
Uzyskaj produkt przepustowości:
1,2 MHz
Numer produktu producenta:
NCS20074DTBR2G
Liczba kanałów:
2
Zakres napięcia wejściowego:
±15 V
Zakres napięcia zasilania:
4,5 V do 18 V
Szybkość narastania:
0,3 V/μs
Uzyskaj produkt przepustowości:
1,2 MHz
NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT

NCS20074DTBR2G — szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT

 

Znajdź informacje tutaj w stock.xlsx

Wstęp:

NCS20074DTBR2G to szybki podwójny sterownik MOSFET przeznaczony do sterowania dwoma N-kanałowymi tranzystorami MOSFET lub IGBT w konfiguracji półmostkowej.Jego szybki czas narastania i opadania (typowo 15 ns) oraz szeroki zakres napięcia wejściowego (4,5 V do 18 V) sprawiają, że idealnie nadaje się do zastosowań przełączania o wysokiej częstotliwości.

 

Aplikacje:

Przetwornice DC-DC, napędy silnikowe, przetwornice mocy

 

Cechy produktu:

Cechy produktu Specyfikacje
Marka ON Półprzewodnikowy
Zakres napięcia zasilania 4,5 V do 18 V
Prąd wyjściowy 4A Szczyt
Czas narastania/opadania Typowe 15ns
typ przesyłki TSSOP-8
temperatura robocza -40°C do 125°C

 

Więcej produktów:

  1. NCV8402ASTT1G — szybki podwójny sterownik MOSFET
  2. NCP5181DT50RKG — podwójny sterownik MOSFET z 50% cyklem pracy
  3. NCP5181DR2G — szybki podwójny sterownik MOSFET z opcją Enable
  4. NCP5106ADR2G — wysokonapięciowy półmostkowy sterownik MOSFET
  5. NCV8401ASTT1G — sterownik Quad MOSFET z opcją Enable
  6. NCP5108ADR2G — wysokonapięciowy półmostkowy sterownik MOSFET
  7. NCV8401STT1G — szybki czterokierunkowy sterownik MOSFET
  8. NCP5182DR2G — szybki półmostkowy sterownik MOSFET z opcją Enable
  9. NCP5111DR2G — podwójny sterownik MOSFET z 50% cyklem pracy
  10. NCP51705DR2G — półmostkowy sterownik MOSFET ze zintegrowanym paskiem startowym

NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT 0NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT 1NCS20074DTBR2G Szybki podwójny sterownik MOSFET do tranzystorów mocy MOSFET i IGBT 2

Często zadawane pytania:

P1: Jakie maksymalne napięcie może obsłużyć NCS20074DTBR2G?

Odp.: NCS20074DTBR2G ma maksymalne napięcie wejściowe 18 V.

 

Q2: Jaki jest prąd wyjściowy NCS20074DTBR2G?

Odp.: NCS20074DTBR2G może zapewnić szczytowy prąd wyjściowy 4A.

 

P3: Jaki jest typ opakowania NCS20074DTBR2G?

Odp.: NCS20074DTBR2G jest dostarczany w pakiecie TSSOP-8.

 

P4: Jakie są typowe zastosowania NCS20074DTBR2G?

Odp.: NCS20074DTBR2G jest powszechnie stosowany w przetwornicach DC-DC, napędach silnikowych i przetwornicach mocy.

 

P5: Jaki jest zakres temperatur roboczych NCS20074DTBR2G?

Odp.: NCS20074DTBR2G może pracować w temperaturach od -40°C do 125°C.